673譜放大器和門控積分器

產(chǎn)品型號：
廠商性質：生產(chǎn)廠家
更新時間：2025-07-25
訪問量：33

簡要描述：雙重用途：用于Ge輻射探測器的高速率和低速率能譜半高斯和門控積分器輸出門控積分器可補償Ge輻射探測器中的電荷收集時間變化

在線咨詢

聯(lián)系電話：021-54339375

產(chǎn)品詳情

ORTEC 673 Spectroscopy Amplifier and Gated Integrator

雙重用途：用于Ge輻射探測器的高速率和低速率能譜
半高斯和門控積分器輸出
門控積分器可補償Ge輻射探測器中的電荷收集時間變化，從而提高了高計數(shù)率下的能量分辨率和處理量
半高斯輸出在低計數(shù)率下有分辨率
0.25到6 μs的整形時間常數(shù)
內(nèi)置門控BLR和堆積判棄器

ORTEC 673型譜放大器和門控積分器是一款雙用途放大器，與鍺輻射探測器結合使用時可在高低計數(shù)率下實現(xiàn)高分辨率能譜。除了傳統(tǒng)的半高斯整形放大器之外，673型還包括一個門控積分器，可在高處理量下實現(xiàn)出色的能量分辨率。

資料 +
- 673宣傳冊
- 673宣傳冊（A4）
- 673手冊

更多信息 +

除了整形時間常數(shù)在0.25到6 μs的范圍之外，半高斯放大器的單極輸出端與ORTEC 572型相同。此輸出端的較長整形時間常數(shù)可在低計數(shù)率下提供能量分辨率。

在高計數(shù)率下，短整形時間常數(shù)是實現(xiàn)高處理量的必要條件。Ge輻射探測器中的電荷收集時間變化在如此短的時間常數(shù)下通常會嚴重降低能量分辨率。門控積分器通過積分單極脈沖下的區(qū)域和設置積分周期解決了這個問題，該積分周期可確保對由Ge輻射探測器中較慢電荷收集產(chǎn)生的較長脈沖進行積分。由此顯著提高了能量分辨率，其處理量約為傳統(tǒng)半高斯整形計數(shù)率的四倍。673型門控積分器輸出可在比半高斯整形高得多的計數(shù)率下保持出色的分辨率和峰值位置穩(wěn)定性。

其中的堆積判棄器用來限度地降低由兩個或多個射線在一個放大器脈沖寬度內(nèi)到達輻射探測器而引起的譜失真。堆積判棄器連接到多通道分析儀的反符合柵極，并為單極或門控積分器輸出端提供保護。前面板開關允許手動或自動調整堆積盤棋器和基線恢復器的噪聲閾值。手動模式適用于晶體管復位前置放大器。

673型適用于電阻反饋前置放大器和晶體管復位前置放大器（TRP）。利用晶體管復位前置放大器，可以在由前置放大器復位引起的過載持續(xù)時間內(nèi)將從前置放大器復位信號得到的邏輯脈沖提供給673型的柵極輸入端。柵極輸入端與GI INH輸出端的堆積判棄器信號進行“或”運算，并被多通道分析儀用來防止分析因復位而失真的脈沖。

單極輸出端還可用作高性能半高斯整形放大器，可與各種類型的輻射探測器結合使用，包括鍺輻射探測器、硅帶電粒子輻射探測器、Si（Li）輻射探測器、正比計數(shù)器和閃爍輻射探測器。

規(guī)格 +

性能

增益范圍

可從X1至X1500連續(xù)調節(jié)。

單極脈沖整形

當峰值時間等于2.2τ，0.1％電平時脈沖寬度等于峰值時間的2.9倍時，在所有范圍內(nèi)均為單斯型。

GI脈沖整形

時變門控積分器。

積分非線性

使用2 μs整形時，單極輸出端<±0.05％（通常為0.025％）。

噪聲

使用3 μs整形時，折合到輸入端<4 μV；增益> 100，單極輸出。

溫度不穩(wěn)定性
（單極輸出）

• 增益 ≤±0.0075％/°C，0至50°C。
• 直流電平 <±10μV/°C，0至50°C。

單極計數(shù)
率不穩(wěn)定性

來自⁶⁰Co源的1.33-MeV伽馬射線峰值位于分析儀量程的85％處，通常位移<0.024%，當其輸入計數(shù)率在使用2-μs整形的情況下從0到100,000個計數(shù)/秒進行變化時，其FWHM展寬<14%。放大器在計數(shù)率超過150,000個計數(shù)/秒的情況下將保持基線參考。

GI處理量
和分辨率

門控積分器可在短時間常數(shù)下操作，這在保持出色分辨率的同時提高了處理量。使用⁶⁰Co源和200,000個計數(shù)/秒輸入時，配備晶體管復位前置放大器的10％HPGe探測器的典型結果為：

輸出	時間常數(shù)	死時間	處理量	分辨率
單極	0.5 µs	5 µs	74k c/s	7.5 keV
GI	0.25 µs	5 µs	74k c/s	2.3 keV

過載恢復

使用增益時，單極性輸出在2.5個非過載單極脈沖寬度內(nèi)從X300過載恢復到額定輸出的2％以內(nèi)。

控件

微調增益	10圈精密電位器可從X0.5至X1.5連續(xù)調節(jié)直讀增益系數(shù)。
粗調增益	6位開關可選擇增益系數(shù)為20、50、100、200、500和1k的反饋電阻。
輸入衰減器	印刷線路板上的跳線可選擇1到10的輸入衰減系數(shù) （X1或X0.1的增益系數(shù)）。
POS/NEG	撥動開關可選擇Pos或Neg輸入。
整形時間	兩個六位開關可選擇有源濾波器電路脈沖整形的時間常數(shù)；可選擇0.25、0.5、1、2、3和6。應為正常操作使用相同的開關設置。
PZ	兩個電位器用于為40 μs到∞的衰減時間調整極零相消。微調PZ對應于約10％的粗調PZ。
BLR	撥動開關可從以下三個位置選擇門控基線恢復器甄別器閾值電平的來源： •自動 BLR閾值由內(nèi)部電路自動設置到電平，其為信號噪聲電平的函數(shù)。這樣可以輕松設置并獲得的性能。 •PZ Adj BLR閾值由閾值電位器確定。為便于PZ調整，大大增加了BLR時間常數(shù)。在低計數(shù)率和/或較長整形時間的條件下，該位置可以給出噪聲。 •閾值 BLR閾值通過使用閾值電位器手動進行設置。0到300 mV范圍，折合到正輸出信號。BLR時間常數(shù)與自動開關的設置相同。
DC	螺絲刀電位器用于調節(jié)單極輸出基線直流電平；+100 mV至-100 mV范圍。為正常的門控積分器操作調整為0。

輸入端

線性	通過前面板或后面板BNC連接器的正或負信號。接受上升時間范圍為10到650 ns、衰減時間范圍為40到2000 μs的脈沖；Z_in≅ 1kΩ，直流耦合；線性值1 V（衰減器跳線設置為X0.1時為10 V）；值20 V。
門	后面板BNC連接器接受標準正NIM信號，以在脈沖復位前置放大器的復位間隔期間在GI INH輸出端產(chǎn)生堆積拒絕信號。輸入極性可通過印刷線路板跳線進行選擇。

輸出端

UNI	Z_o <1Ω的前面板BNC和Z_o =93Ω的后面板BNC。具有短路保護功能；0至+10 V滿量程線性范圍；有源濾波器整形和直流恢復；直流電平可調至±100 mV。
GI	Z_o <1Ω的前面板BNC和Z_o =93Ω的后面板BNC。具有短路保護功能；0至+10 V滿量程范圍；直流電平0±5 mV。
忙	Z_o <10Ω的后面板BNC在輸入脈沖超過基線恢復器甄別器電平的持續(xù)時間內(nèi)提供+5 V邏輯脈沖。連接到ORTEC MCA Busy Input（忙輸入端）以進行死時間校正。
UNI INH	當發(fā)生內(nèi)部脈沖堆積時，Z_o <10Ω的后面板BNC提供標稱+5 V邏輯信號；用于MCA反符合輸端入，以防止在使用單極輸出端時存儲譜中的堆積數(shù)據(jù)。
GI INH	當發(fā)生內(nèi)部脈沖堆積時，Z_o <10Ω的后面板BNC提供標稱+5 V邏輯信號；用于MCA反符合輸端入，以防止在使用GI輸出端時存儲譜中的堆積數(shù)據(jù)。PWB極性選擇。（出廠設置在正位置）。
CRM (計數(shù)率計)	后面板BNC為每個線性輸入脈沖提供標稱+5 V邏輯信號；300 ns寬度；用作計數(shù)率計或計數(shù)器的輸入。

電氣和機械

前置放大器電源	后面板標準ORTEC電源連接器，Amphenol 17-10090，與所有標準ORTEC前置放大器上的自帶和非自帶電源線配對。
所需電源	+24 V, 125 mA; –24 V, 105 mA; +12 V, 150 mA; –12 V, 75 mA。
重量	凈重 1.4千克（3磅）。裝運重量 3.2千克（7磅）。
尺寸	NIM標準雙寬模塊，6.90 x 22.13厘米（2.70 x 8.714英寸）前面板，符合DOE/ER-0457T的要求。